Скачать "#29. Транзисторы полевые. Теория"
%3Aformat(webp)%2Fi.ytimg.com%252Fvi_webp%252FAprKTJSg-NM%252Fmaxresdefault.webp&w=1139&q=75)
Похожие ролики из нашего каталога
%3Aformat(webp)%2Fi.ytimg.com%252Fvi%252F0xDjbANYbuk%252Fmaxresdefault.jpg&w=1139&q=75)
%3Aformat(webp)%2Fi.ytimg.com%252Fvi%252FJmizAX-jTeg%252Fmaxresdefault.jpg&w=1139&q=75)
%3Aformat(webp)%2Fi.ytimg.com%252Fvi_webp%252FJxhjgHzBb_8%252Fmaxresdefault.webp&w=1139&q=75)
%3Aformat(webp)%2Fi.ytimg.com%252Fvi_webp%252FKqEdoc8hnqw%252Fmaxresdefault.webp&w=1139&q=75)
%3Aformat(webp)%2Fi.ytimg.com%252Fvi_webp%252Fk9ZPHiKs9Ps%252Fmaxresdefault.webp&w=1139&q=75)
%3Aformat(webp)%2Fi.ytimg.com%252Fvi_webp%252Fowf2R9ZY8Tk%252Fmaxresdefault.webp&w=1139&q=75)
%3Aformat(webp)%2Fi.ytimg.com%252Fvi_webp%252Fq37RQMjpDp0%252Fmaxresdefault.webp&w=1139&q=75)
%3Aformat(webp)%2Fi.ytimg.com%252Fvi_webp%252FsuDVVuAqEnU%252Fmaxresdefault.webp&w=1139&q=75)
%3Aformat(webp)%2Fi.ytimg.com%252Fvi_webp%252FvWcZEXI_ZmM%252Fmaxresdefault.webp&w=1139&q=75)
%3Aformat(webp)%2Fi.ytimg.com%252Fvi_webp%252FxcEtSobex0w%252Fmaxresdefault.webp&w=1139&q=75)
Теги видео
Субтитры
Английский
00:00:02
продолжим00:00:03
разбор радиоэлектронных компонентов и в00:00:07
этой теме мы затронем полевые00:00:10
транзисторы полевые транзисторы иногда00:00:13
еще называют00:00:14
у неполярными транзисторами но в00:00:16
большинстве случаев применяют именно00:00:19
термин полевой транзистор00:00:21
так вот полевой транзистор это00:00:24
полупроводниковый прибор принцип00:00:27
действия которого основан на00:00:29
управление электрическим сопротивлением00:00:32
только проводящего канала00:00:35
поперечным электрическим полем которое00:00:37
создается приложенным к затвору00:00:41
напряжением область из которой носители00:00:45
заряда уходят в канал называют истокам00:00:48
область в которую они входят называют00:00:51
соответственно с током электрод на00:00:54
которой подается управляющее напряжение00:00:57
это затвор если говорить про00:01:01
англоязычное название то соответственно00:01:04
исток это source stock & the drain00:01:08
затвор это гид все полевые транзисторы00:01:11
можно разделить на два больших класса 100:01:16
класс это полевые транзисторы с00:01:19
управляющим pn переходом00:01:21
2 класс это так называемые00:01:25
транзисторы с изолированным затвором их00:01:29
ещё называют мдп транзистора это первые00:01:33
буквы от00:01:35
названия металл dielectric полупроводник00:01:38
в общем-то это00:01:41
название она он характеризует именно00:01:43
структуру самого утра не стара их также00:01:46
называют00:01:47
моп-транзистор и это сокращение от metal00:01:51
oxide полупроводник если же брать00:01:54
англоязычное название этого класса00:01:57
приборов то это00:02:00
mosfet транзисторы свою очередь00:02:03
транзисторы с изолированным затвором00:02:06
опять таки можно разделить на две00:02:08
большие группы первая группа это00:02:11
транзисторы со встроенным каналом и00:02:13
вторая группа это транзисторы с00:02:16
индуцированным каналом00:02:19
и соответственно в зависимости от того00:02:22
из какого материала00:02:24
изготавливаются все эти транзисторы они00:02:27
могут иметь канал n-типа либо же иметь00:02:31
канал p-типа к основным параметрам00:02:34
полевых транзисторов можно отнести00:02:36
входное сопротивление00:02:38
также внутреннее сопротивление его также00:02:41
называют выходным крутизну столько00:02:45
затворной характеристики и напряжение00:02:48
отсечки это основные параметры полевых00:02:51
транзисторов давайте вкратце теперь00:02:54
разберемся с00:02:56
этими группами транзисторов посмотрим00:03:00
как они устроены00:03:02
какую структуру имеют и в чем различие00:03:05
этих типов транзисторов первый00:03:09
транзистор и которую мы будем00:03:11
рассматривать это транзисторы с00:03:13
управляющим pn переходом полевой00:03:16
транзистор с управляющим pn переходом00:03:18
англоязычная аббревиатура это j-хет00:03:22
это полевой транзистор в котором00:03:25
пластина из полупроводника например00:03:28
может быть полупроводник пойти по или же00:03:31
n-типа имеет эта пластина на00:03:34
противоположных концах00:03:35
электроды это наши выводы в общем-то00:03:38
столько и столько с помощью которых она00:03:43
эта пластина включается в00:03:46
электрическую цепь управляющая цепь00:03:48
подключается к третьему электроду это00:03:52
затвор и образуется он областью с другим00:03:56
типом проводимости00:03:58
источник постоянного смещения включенной00:04:00
во входную цепь создает на образованном00:04:04
pn переходе обратно и запирающее00:04:07
напряжение при изменении входного00:04:09
напряжения изменяется обратное00:04:11
напряжение на этом pn переходе и в связи00:04:16
с этим меняется толщина обедненного слоя00:04:19
в полупроводнике то есть по сути00:04:22
меняется площадь поперечного сечения00:04:24
области в кристалле через которую00:04:26
проходит поток основных носителей заряда00:04:30
эта область и называется каналам канал00:04:34
может быть как n-типа так и p-типа по00:04:38
типу проводимости канала различают00:04:40
соответственно полевые транзисторы с н00:04:43
каналом и с каналом разница между этими00:04:48
двумя структурами00:04:49
будет заключаться в полярности00:04:51
напряжение смещения00:04:53
подаваемых на электроды00:04:55
транзисторов соответственно с каналом n00:04:58
и p типа управление током и напряжением00:05:01
на нагрузке включенный последовательно с00:05:04
каналом полевого транзистора и00:05:06
источником питания осуществляется00:05:08
изменением входного напряжения00:05:11
вследствие чего изменяется обратное00:05:13
напряжение на payne приходит что ведет к00:05:15
изменению толщины запирающего слоя при00:05:19
некотором запирающим напряжение площадь00:05:23
поперечного сечения канала становится00:05:25
практически равной нулю и ток через00:05:28
канал полевого транзистора у нас00:05:32
прекращается и становится практически на00:05:34
равном нулю00:05:35
так как обратный ток pn-перехода он00:05:39
весьма мал и00:05:41
и в статическом режиме именно низких00:05:44
частотах то мощность которая отбирается00:05:48
от источника сигнала она очень мало при00:05:52
высоких частотах то есть когда00:05:54
транзистор работает на высокой частоте00:05:58
то соответственно ток отбираемые от00:06:02
источника сигнала он будет увеличиваться00:06:05
из-за того что транзистор имеет00:06:08
некоторую входную емкость и00:06:10
соответственно у нас уже травиться00:06:14
некоторая часть входной мощности на00:06:17
перезарядку входной емкости этого00:06:20
транзистора от00:06:22
биполярного транзистора00:06:24
полевой транзистор00:06:25
ну во-первых отличается принципом00:06:28
действия в биполярном транзисторе00:06:30
управление входным сигналом производится00:06:34
входным током а в полевом транзисторе00:06:37
управление соответственно00:06:39
происходит за счет изменения входного00:06:42
напряжения или же следствие00:06:45
электрического поля во вторых полевые00:06:47
транзисторы они имеют значительно больше00:06:50
входные сопротивления что связано с тем00:06:53
что входная цепь представляют собой либо00:06:57
обратно смещенный pn-переход либо вообще00:07:01
область которую один и на слоем00:07:03
диалектика если речь идет о00:07:07
транзисторах с00:07:09
изолированным затвором00:07:10
полевые транзисторы обладают низким00:07:15
уровнем шума особенно это заметно на00:07:17
низких частотах по сравнению с00:07:19
биполярными транзисторами так как в00:07:22
полевых транзисторах нет инжекции00:07:24
неосновных носителей заряда и00:07:26
соответственно канал полевого00:07:28
транзистора00:07:29
может быть выполнен внутри00:07:32
полупроводникового кристалла00:07:34
давайте вкратце рассмотрим принцип00:07:36
работы00:07:37
полевого транзистора с управляющим pn00:07:40
переходом00:07:41
если к такому транзистору приложить00:07:44
напряжение00:07:45
например к стоку приложить плюс а к00:07:48
истоку минус то через него потечет ок он00:07:54
будет достаточно большой величины это00:07:57
будет максимальный рабочий ток00:07:58
практически для этого транзистора он00:08:02
будет ограничен только сопротивлением00:08:04
канала самого транзистора и внешними00:08:07
цепями00:08:08
например это может быть нагрузочный00:08:11
резистор можно произвести аналогию с00:08:15
нормально замкнутым ключом при таком00:08:18
включении итог который будет протекать через канал00:08:21
называется начальным током стока то есть00:08:24
это ток транзистора при00:08:27
напряжение затвор-исток00:08:30
равном нулю таким образом полевой00:08:33
транзистор с управляющим pn переходом00:08:35
без приложенного управляющего напряжение00:08:39
к затвору по сути является максимально00:08:42
открытым00:08:44
если транзистор у нас p-канальный то к00:08:48
истоку подключают положительный вывод00:08:51
источника питания так как основным00:08:54
носителем заряда являются дырки то есть00:08:57
положительные носителей заряда и это так00:09:00
называемая рыночная проводимость если00:09:03
транзистор у нас n-канальный так и00:09:06
истоку подключают отрицательный вывод00:09:09
источника питания так как основным00:09:11
носителем заряда является электроны то00:09:14
есть отрицательные носители заряда таким00:09:16
образом исток у нас является источником00:09:20
основных носителей заряда при подаче00:09:24
положительного напряжения на затвор00:09:26
относительная стока если мы используем00:09:30
пар канальный транзистор00:09:31
или же наоборот отрицательного00:09:33
напряжения на затвор если мы используем00:09:36
n канальный транзистор то он смещается в00:09:40
обратном направлении и00:09:43
область pn-перехода расширяется в00:09:46
сторону канала в результате подачи00:09:48
такого запирающего напряжения ширина00:09:51
канала уменьшается и ток стока у нас00:09:55
снижается напряжение затвора при котором00:09:58
ток через ключ00:10:00
практически перестаёт протекать00:10:03
называется напряжение осечки и это00:10:06
значение она указывается в00:10:09
технических характеристиках на каждый00:10:13
полупроводниковый прибор такого типа00:10:15
выходной характеристикой для полевого00:10:19
транзистора называют график на котором00:10:21
изображена зависимость тока стока от00:10:24
напряжения сток-исток при различных00:10:27
напряжения на затворе на графике можно00:10:30
выделить три области в начале это левая00:10:34
часть графика мы видим практически00:10:37
комическую область то есть это в этом00:10:41
промежутке00:10:42
транзистор ведет себя как обычный00:10:45
резистор ток возрастает почти линейно00:10:49
доходя до определенного уровня и00:10:52
переходит в область насыщение это00:10:56
центральная часть графика в правой части00:10:59
графика мы видим что ток опять начинают00:11:02
резко расти но эта область уже00:11:05
называется область пробоя и в этой00:11:08
области транзистор никогда находиться не00:11:10
должен потому что это приведет к его00:11:15
разрушение в общем-то выходу его из00:11:18
строя мы видим что самая верхняя ветвь00:11:21
на рисунке это как росток при нулевом00:11:25
напряжение затвор-исток и ток здесь00:11:28
будет максимальный на следующем графике00:11:31
можно посмотреть стоково затворную00:11:34
характеристику то есть зависимость тока00:11:38
стока от напряжения на затворе00:11:41
при одинаковом напряжения сток-исток и00:11:44
пятаки из графика мы видим что чем ближе00:11:47
напряжение затвор-исток00:11:49
к нулю тем больше у нас будет ток стока00:11:54
в биполярных транзисторах был у нас00:11:57
такой параметр который назывался00:12:00
коэффициент передачи тока базы или же00:12:03
коэффициент усиления00:12:04
в полевых транзисторах для00:12:08
количественной оценки способности00:12:11
транзистора усиливать напряжение00:12:14
используют крутизну крутизна показывает00:12:17
насколько миллиампер или ампер растет00:12:21
ток стока при увеличении напряжение00:12:23
затвор-исток00:12:25
при неизменном напряжение сток-исток00:12:29
главное преимущество полевого00:12:31
транзистора это очень высокое входное00:12:34
сопротивление00:12:35
входное сопротивление это отношение00:12:38
только к напряжение затвор-исток00:12:41
полевой транзистор практически не00:12:43
потребляет ток а управление и это00:12:46
снижает потери при управлении от а также00:12:50
уменьшает искажения сигнала и возможную00:12:52
перегрузку по току источника сигнала00:12:55
в среднем частотной характеристики00:12:58
полевых транзисторов несколько лучше чем00:13:01
биполярных и опять таки это связано с00:13:04
тем что нужно меньше времени на00:13:06
рассасывание носители заряда в областях00:13:10
биполярных транзисторов полевые00:13:12
транзисторы также имеют более низкий00:13:14
уровень шумов более стабильны при00:13:18
изменениях температуры00:13:20
окружающей среды а также00:13:24
потребляют малую мощность при00:13:28
переключении и соответственно за счет00:13:31
этого00:13:32
позволяют получать устройства которые00:13:35
имеют более высокий кпд00:13:39
полевые транзисторы могут иметь00:13:42
различные схемы включения точно так же00:13:44
как у биполярных транзисторов было три00:13:48
основных схема включения так и для00:13:51
полевых транзисторов существуют три00:13:54
основных схема включения первая схема00:13:57
включения это с общим истоком аналог00:14:00
схеме с общим эмиттером для биполярного00:14:03
транзистора00:14:04
такая схема используется чаще всего 200:14:08
схема включения это с общим затвором00:14:12
аналог схеме с общей базой для00:14:14
биполярного она используется редко00:14:18
потому что имеет довольно низкое входное00:14:21
сопротивление и00:14:23
третья схема эта схема с общим стоком00:14:27
это аналог схеме с общим коллектором эта00:14:32
схема дает00:14:34
усиление по напряжению близкая к единице00:14:37
имеет очень высокое входное00:14:40
сопротивление и очень низкое выходное00:14:44
сопротивление другое название такой00:14:46
схемы это и стоковый повторитель по00:14:50
аналогии можно сравнить эту схему00:14:52
включения с эмиттерный повторитель им00:14:55
если в качестве усилительного элемента00:14:57
используется биполярный транзистор00:15:01
на практике чаще всего применяется схема00:15:04
с общим00:15:06
истоком каскад с общим истоком дает00:15:10
наибольшее усиление по мощности но с00:15:13
другой стороны он наиболее00:15:15
низкочастотный из-за существования00:15:18
входной емкости затвор-исток00:15:22
схема с общим затвором как уже00:15:24
говорилось она аналогична схеме с общей00:15:27
базой в этой схеме ток стока равен току00:15:30
истока поэтому она не дает усиление00:15:34
потоку и00:15:35
усиление по мощности в ней во много раз00:15:39
меньше чем в той же самой схеме с общим00:15:42
истоком каскад с общим затвором обладает00:15:46
низким входным сопротивлением00:15:48
в связи с чем он очень редко применяется00:15:53
преимущество00:15:55
схемы с общим затвором это практически00:15:59
полное подавление эффекта миллера что00:16:02
позволяет увеличить максимальную частоту00:16:05
усиления и такие каскады в основном00:16:09
применяются при усилении свч сигнала00:16:13
каскад с общим стоком он аналогичен00:16:17
каскаду с общим коллектором для00:16:20
биполярного транзистора такой каскад00:16:22
называют еще и стоковым повторителем00:16:25
коэффициент усиления по напряжению у00:16:27
него практически равен единице00:16:29
преимущество этого каскада очень низкая00:16:33
входная паразитная емкость00:16:35
из-за чего его часто используют в00:16:37
качестве00:16:38
буферного растительного каскада между00:16:42
высоко умным например источником сигнала00:16:45
и последующими каскадами усиления00:16:48
которые могут иметь низкое входное00:16:50
сопротивление00:16:52
следующий класс который мы будем00:16:54
рассматривать это транзисторы с00:16:57
изолированным затвором00:17:00
эти транзисторы в основном используются00:17:04
в качестве00:17:05
полупроводниковых управляемых ключи и00:17:07
как правило они либо открыты либо00:17:11
закрыты то есть причем они чаще всего00:17:14
работают именно в ключевом режиме00:17:17
в таких транзисторах dielectric00:17:21
исключает электрический контакт между00:17:24
электродом затвора и подложкой в отличие00:17:28
от00:17:29
транзисторов с управляющим pn переходом00:17:34
он работает не на принципе расширения00:17:38
перехода и перекрытие канала а на00:17:41
принципе изменение концентрации00:17:44
носителей заряда00:17:46
полупроводники под действием внешнего00:17:48
электрического поля00:17:50
как уже говорилось ранее полевые00:17:53
транзисторы с изолированным затвором00:17:55
делится на два класса 1 это с00:18:00
индуцированным каналом и второй это со00:18:03
встроенным каналом00:18:05
транзисторы с индуцированным каналом не00:18:10
проводят ток при отсутствии напряжение00:18:12
на затворе вернее ток есть через канал00:18:18
сток-исток но он очень мал так как это00:18:21
обратный ток между подложкой и00:18:24
высоколегированные участками стока и00:18:26
истока и таким образом можно сказать что00:18:30
в таком состоянии транзистор не проводит00:18:36
ток то есть по сути является разумным00:18:38
там ключом00:18:39
входная характеристика для данного типа00:18:43
транзистора практически по форме00:18:46
повторяю такую же00:18:48
характеристику как и00:18:50
транзисторов с управляющим pn переходом00:18:53
но разница заключается в том что00:18:56
напряжение затвор-исток00:18:58
у нас будут положительными00:19:01
столько затворной характеристика00:19:05
опять-таки схожа с характеристиками00:19:09
полевых транзисторах с управляющим pn00:19:12
переходом и отличие будет в том что в00:19:16
данном случае у нас будут другие00:19:19
напряжения на затворе00:19:21
полевой транзистор с индуцированным00:19:24
каналом00:19:25
открывается только при достижении00:19:27
порогового напряжения00:19:29
значение этого напряжения очень часто00:19:32
указывается в техническая документация00:19:34
тех же даташитах и в англоязычном00:19:39
документе этот00:19:41
параметр будет называться трешхолд00:19:45
волтаж это именно то напряжение при00:19:48
подаче которого на затвор транзистор у00:19:52
нас переходит из закрытого состояния в00:19:56
открытые для разных транзисторов будут00:19:58
разные пороговые напряжения то есть00:20:00
напряжение открывания например можно00:20:03
встретить так называемый logic level00:20:05
транзисторы у которых этот порог сделан00:20:09
специально очень из для того чтобы00:20:11
такими транзисторами можно было00:20:13
управлять непосредственно00:20:15
выводами самих микроконтроллеров если мы00:20:19
посмотрим на структуру такого00:20:21
транзистора то видим что по сути затвор00:20:25
это есть ни что иное как паразитная00:20:28
емкость она при управлении транзистором00:20:32
замедляет соответственно процесс00:20:34
переключения это самого транзистора00:20:37
из-за того что при переключениях эту00:20:40
емкость нам соответственно нужно00:20:41
заряжать и разряжать00:20:45
разряженная емкость 1 момент включения00:20:48
требует довольно большого зарядного тока00:20:51
опять-таки чем мощнее транзистор тем00:20:54
больше будет входная емкость и поэтому00:20:57
некоторые шим контроллер и не могут00:21:00
напрямую управлять затвором полевых00:21:04
транзисторов и для этого используют00:21:07
специальные схемы00:21:09
так называемые драйверы для полевых00:21:12
транзисторов драйвер это по сути такой00:21:15
усилитель который преобразует входной00:21:17
сигнал с шим контроллера выходной сигнал00:21:21
такой амплитуда и силы тока которое00:21:23
достаточно для включения и выключения00:21:26
транзистора то есть для управления00:21:29
затвором ключа если мы обратимся к00:21:32
условным графическим изображением топ на00:21:35
самом транзисторе затвор отделен от00:21:38
подложки00:21:40
стрелка в центре указывает на тип канала00:21:43
если у нас n канальный транзистор то00:21:46
стрелка направлен отказ от воров если у00:21:50
нас п канальный транзистор то стрелка00:21:53
направлена от затвора следующий тип00:21:56
транзисторов которым мы будем разбирать00:21:58
это транзисторы со встроенным каналом00:22:02
можно сказать что принцип работы этого00:22:05
транзистора напоминает полевой00:22:07
транзистор с управляющим pn переходом то00:22:11
есть когда напряжение на затворе равно00:22:13
нулю ток через ключ у нас все равно00:22:17
будет протекать00:22:20
около истока и стока созданы две области00:22:23
с повышенным содержанием примесных00:22:25
носителей заряда им плюс с повышенной00:22:28
проводимостью подложка называется00:22:30
основание по типа как данном случае00:22:33
следует обратить внимание что кристалл00:22:36
то есть подложка саяна с истоком и на00:22:39
многих условных графических обозначений00:22:41
ах это так и рисуется при подаче00:22:45
отрицательного напряжение затвор-исток00:22:47
ток стока у нас будет падать транзисторы00:22:51
начнет закрываться и это называется00:22:53
режим обеднения при подаче же00:22:57
положительного напряжения на затворе00:22:59
столб происходит обратный процесс00:23:03
электроны притягивается итук в канале у00:23:06
нас возрастает00:23:07
этот режим у нас называется режимом00:23:10
обогащение все вышесказанное это00:23:13
справедливо для00:23:15
моп-транзисторов со встроенным каналом00:23:17
n-типа00:23:18
если же у нас имеется обратная структура00:23:22
то есть канал пойти по то00:23:24
соответственно вместо электронов у нас00:23:28
участвуют дырки полярность всех00:23:30
предложенных напряжений у нас меняется00:23:32
на00:23:33
противоположную но суть от этого не00:23:36
изменяется00:23:38
если мы посмотрим на графики то здесь00:23:41
практически все так же как и в00:23:43
транзисторе с управляющим pn переходом00:23:46
за исключением наличия так называемого00:23:49
режима обогащение в выходной00:23:53
характеристики00:23:54
настолько затворной характеристики четко00:23:57
видно что отрицательное напряжение00:23:59
вызывает00:24:01
режим объединения и закрытия ключа00:24:04
положительное напряжение на затворе00:24:06
обогащение и соответственно открытие00:24:09
ключа что приводит к возрастанию тока00:24:13
стока00:24:14
следует отметить что цифровой техники00:24:17
большинство транзисторов которая00:24:19
применяется это именно00:24:22
транзисторы с изолированным затвором и00:24:26
индуцированным каналом то есть эти00:24:28
транзисторы работают в ключевом режиме00:24:32
при отсутствии входного управляющего00:24:36
напряжения транзистор у нас закрыт и00:24:39
представляет собой разорванную цепь при00:24:42
подаче открывающие напряжение на затвор00:24:45
это транзистор у нас соответственно00:24:47
открывается и по сути00:24:50
представляет собой00:24:53
замкнутый ключ00:24:55
на этом я думаю что теоретическую часть00:24:58
мы закончим и в следующем видео уже00:25:02
будем изучать транзисторы скажем так с00:25:05
практической точки зрения возможно00:25:07
проведем какие-то опыты и посмотрим где00:25:10
они применяются именно схемахОписание:
Набор в группу обучения основам электроники и ремонта. https://vk.com/hamradio1986 Стоимость обучения 1500 руб Для благодарности и поддержки канала: карта Сбер 639002529037338341 Перевод по номеру мобильного 8-928-7610692
Готовим варианты загрузки
* — Если видео проигрывается в новой вкладке, перейдите в неё, а затем кликните по видео правой кнопкой мыши и выберите пункт "Сохранить видео как..."
** — Ссылка предназначенная для онлайн воспроизведения в специализированных плеерах
Вопросы о скачивании видео
Как можно скачать видео "#29. Транзисторы полевые. Теория"?
Сайт http://unidownloader.com/ — лучший способ скачать видео или отдельно аудиодорожку, если хочется обойтись без установки программ и расширений. Расширение UDL Helper — удобная кнопка, которая органично встраивается на сайты YouTube, Instagram и OK.ru для быстрого скачивания контента.
Программа UDL Client (для Windows) — самое мощное решение, поддерживающее более 900 сайтов, социальных сетей и видеохостингов, а также любое качество видео, которое доступно в источнике.
UDL Lite — представляет собой удобный доступ к сайту с мобильного устройства. С его помощью вы можете легко скачивать видео прямо на смартфон.
Какой формат видео "#29. Транзисторы полевые. Теория" выбрать?
Наилучшее качество имеют форматы FullHD (1080p), 2K (1440p), 4K (2160p) и 8K (4320p). Чем больше разрешение вашего экрана, тем выше должно быть качество видео. Однако следует учесть и другие факторы: скорость скачивания, количество свободного места, а также производительность устройства при воспроизведении.
Почему компьютер зависает при загрузке видео "#29. Транзисторы полевые. Теория"?
Полностью зависать браузер/компьютер не должен! Если это произошло, просьба сообщить об этом, указав ссылку на видео. Иногда видео нельзя скачать напрямую в подходящем формате, поэтому мы добавили возможность конвертации файла в нужный формат. В отдельных случаях этот процесс может активно использовать ресурсы компьютера.
Как скачать видео "#29. Транзисторы полевые. Теория" на телефон?
Вы можете скачать видео на свой смартфон с помощью сайта или pwa-приложения UDL Lite. Также есть возможность отправить ссылку на скачивание через QR-код с помощью расширения UDL Helper.
Как скачать аудиодорожку (музыку) в MP3 "#29. Транзисторы полевые. Теория"?
Самый удобный способ — воспользоваться программой UDL Client, которая поддерживает конвертацию видео в формат MP3. В некоторых случаях MP3 можно скачать и через расширение UDL Helper.
Как сохранить кадр из видео "#29. Транзисторы полевые. Теория"?
Эта функция доступна в расширении UDL Helper. Убедитесь, что в настройках отмечен пункт «Отображать кнопку сохранения скриншота из видео». В правом нижнем углу плеера левее иконки «Настройки» должна появиться иконка камеры, по нажатию на которую текущий кадр из видео будет сохранён на ваш компьютер в формате JPEG.
Сколько это всё стоит?
Нисколько. Наши сервисы абсолютно бесплатны для всех пользователей. Здесь нет PRO подписок, нет ограничений на количество или максимальную длину скачиваемого видео.